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硅作为衬底材料的先天优势很突出,兼具蓝宝石和碳化硅的优点,但要在硅衬底上制备高光效LED芯片却一直是个世界级难题。
因为硅和氮化镓材料存在严重的热失配和晶格失配,各国研究者穷尽40余年钻研,迟迟没有找到攻克关键技术难点的理想方法,尤其在前两条路线相继走通之后,硅衬底这一技术路线一度被业界宣判“死刑”。
不过,在中国这个LED制造大国,产业从根源上依赖日本或美国的路线,风险可想而知,国内有很多企业多年来采用蓝宝石路线,其中布满了国外巨头精心埋下的专利“地雷”,这一方面阻碍了中国LED产品和企业进入国际市场,另一方面,这些“地雷”即使不爆,也是一把达摩克利斯之剑,一直悬在头上。
江风益教授团队要排除的,就是这些地雷,在他的理解中,科研的目标跟产业化是统一的,总共需要完成“0到1”“1到N”和“N到0”三个步骤,先要解决科技成果有没有的问题,然后再把成果转化为N个合格产品,最后把N个产品归0,全部卖出去。
这种“以终为始”的思维,在企业界或许是常识,在高校里,还真是比较宝贵。
2003年起,江风益教授在南昌大学的半导体发光材料实验室里支起一张床,前前后后经历3000多次实验,终于在硅衬底上长出氮化镓发光薄膜。
2005年实验室出样品,2006年创办晶能光电,2007年建工厂,2008年小批量试生产,2009年显示用小功率LED芯片量产;
2011年,美国麻省理工《科技创业》杂志评选“全球最具创新力企业50强”,晶能光电与Apple、IBM一同上榜;
2012年,大功率LED芯片量产被国际半导体照明联盟(ISA)评为“2012年度新闻事件”;
一连串里程碑之后,我们有了从源头上完全自主可控的技术,整个行业的专利风险就减轻了,如果国外巨头还要上门来找蓝宝石路线的茬,一是要面临相关企业转向硅衬底路线的风险,第二个是他们自己也要掂量掂量,可能免不了以后也要用硅衬底路线做产品。比照中国通信行业,用5G时代的技术专利增量,破解了过去2G、3G时代国外的存量专利壁垒,差不多的意思。