ASEMI低压MOS管AO3415参数,AO3415图片,AO3415大小
创始人
2025-05-28 10:19:44

编辑-Z

ASEMI压MOS管AO3415参数:

型号:AO3415

漏极-源极电压(VDS):20V

栅源电压(VGS):8V

漏极电流(ID):4A

功耗(PD):1.4W

储存温度(Tstg):-55 to 150℃

静态漏源导通电阻(RDS(ON)):55mΩ

二极管正向电压(VSD):1.2V

输入电容(Ciss):950pF

开启上升时间(tr):10nS

 

AO3415封装大小:

封装:SOT-23

总长度:2.95mm

本体长度:1.7mm

宽度:3.1mm

高度:1.3mm

脚间距:1.9mm

 

AO3415特征:

VDS=-20V,ID=-4A

RDS(ON)Ω @VGS=-2.5伏

RDS(ON)Ω @VGS=-4.5伏

ESD额定值:2500V HBM

高功率和电流处理能力

获得无铅产品

表面安装组件

 

AO3415应用:

PWM应用

负载开关

相关内容

热门资讯

原创 特... 美国该认清自己是世界的一员,而不是高高在上的国王。 美国总统特朗普的一系列政策,尤其是关于加征关税的...
原创 特... 2025年年底,华盛顿上演了一场精彩的狸猫换太子式的外交剧。国务卿鲁比奥忙于在国务院进行裁员,召回大...
原创 中... 近年来,中美关系的恶化已成为全球瞩目的焦点,关于这一问题的讨论层出不穷,其中尤以责任归属为最为敏感和...
国家发改委再提涨工资:正研究制... 过去一年,宏观政策积极有为,有力支撑经济实力跃上新台阶。 2025年,全国GDP总量突破140万亿元...